1.设备支持8英寸与12英寸晶圆,切换时只需更换FOUP适配器,无需复杂调整,操作便捷高效,大幅提升生产线的灵活性和切换速度。
2.配备气动高压Pump,压力输出可根据制程需求调整至60-200KG/CM²,结合高压喷头,有效提升清洗效率,适应不同的清洗工艺。
3.二流体系统的压力控制在5KG/CM²以内,确保清洗过程中压力的精准调节,避免对晶片造成损伤,同时提高清洗效果。
4.设备配有不锈钢材质的清洗液加热供应槽,最高控制温度可达95°C,确保清洗液在高温下保持最佳的溶解和去除效果,提升清洗效率。
5.Spin chuck具备高速、平稳及抗静电功能,最高转速达到3000 rpm,确保晶片在旋转过程中稳定高效清洗,同时避免静电积累对晶片的影响。
6.通过选择合适的化学品、喷头及程序控制,显著增强对晶片底部间隙的清洗能力,确保全面的去除残留物,提升清洗质量。
7.Semi-close腔体设计优化了排气性能,确保设备在运行时达到最佳的抽气状态,减少化学品挥发并维持良好的洁净环境。

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